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TMMDB3TG数据手册分立半导体产品的晶闸管-DIACSIDAC规格书PDF

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厂商型号

TMMDB3TG

参数属性

TMMDB3TG 封装/外壳为DO-213AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶闸管-DIACSIDAC;产品描述:DIAC 30-34V 2A MINIMELF

功能描述

DIAC
DIAC 30-34V 2A MINIMELF

封装外壳

DO-213AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 14:31:00

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TMMDB3TG规格书详情

描述 Description

Functioning as a trigger diode with a fixed voltage reference, the TMMDB3TG can be used in conjunction with Triacs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorescent lamp ballasts.

特性 Features

• VBO: 32 V
• Low breakover voltage: 15 µA max.
• Breakover voltage range: 30 to 34 V

简介

TMMDB3TG属于分立半导体产品的晶闸管-DIACSIDAC。由制造生产的TMMDB3TG晶闸管 - DIAC,SIDACDIAC 和 SIDAC 系列产品是双端子器件,常在交流相位控制应用中用作触发机制,其作用是阻断电流,直至器件两端施加的电压达到某个临界值才会导通,并在导通瞬间提供大电流。两者的区别在于特性曲线的形状;导通模式下,DIAC(双向触发二极管)的正向电压通常较高,因此当应用要求电流较大时,SIDAC(高压双向触发二极管)通常比它更加适用。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TMMDB3TG

  • 生产厂家

    :ST

  • General Description

    :DIAC in MINIMELF with +/- 2 V tight VBO

  • Breakover voltage_min(V)

    :30

  • Breakover voltage_max(V)

    :34

  • Marketing Status

    :Active

  • Junction Temperature_max(°C)

    :125

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
2022
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