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TMMDB3TG分立半导体产品晶闸管-DIACSIDAC规格书PDF中文资料

TMMDB3TG
厂商型号

TMMDB3TG

参数属性

TMMDB3TG 封装/外壳为DO-213AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶闸管 - DIAC,SIDAC;产品描述:DIAC 30-34V 2A MINIMELF

功能描述

DIAC
DIAC 30-34V 2A MINIMELF

文件大小

51.89 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-24 19:09:00

TMMDB3TG规格书详情

DESCRIPTION

Functioning as a trigger diode with a fixed voltage reference, the TMMDB3TG can be used in conjunction with triacs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorescent lamp ballasts.

FEATURES

■ VBO : 32V

■ Low breakover current: 15µA max

■ Breakover voltage range: 30 to 34V

TMMDB3TG属于分立半导体产品 > 晶闸管 - DIAC,SIDAC。意法半导体(ST)集团制造生产的TMMDB3TG晶闸管 - DIAC,SIDACDIAC 和 SIDAC 系列产品是双端子器件,常在交流相位控制应用中用作触发机制,其作用是阻断电流,直至器件两端施加的电压达到某个临界值才会导通,并在导通瞬间提供大电流。两者的区别在于特性曲线的形状;导通模式下,DIAC(双向触发二极管)的正向电压通常较高,因此当应用要求电流较大时,SIDAC(高压双向触发二极管)通常比它更加适用。

产品属性

  • 产品编号:

    TMMDB3TG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶闸管 - DIAC,SIDAC

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 电压 - 导通:

    30 ~ 34V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    DO-213AA

  • 供应商器件封装:

    迷你型 MELF

  • 描述:

    DIAC 30-34V 2A MINIMELF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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