TMJD127中文资料100V,8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
技术参数
- 制造商编号
：TMJD127
- 生产厂家
：Galaxy
- AEC Qualified
：YES
- Pb Free
：YES
- Halide free
：YES
- Reach
：YES
- RoHS
：YES
- Marketing Status
：Active
- Polarity
：PNP
- V(BR)CEO(V)min.
：100
- IC(A)
：8
- hFEmin.
：1000
- hFEmax.
：12000
- VCE (sat)(V)
：4
- IB(mA)
：80
- PD(W)max.
：1.5
- TJ(°C)max.
：150
- TJ(°C)min.
：-65
- ECCN(US)
：EAR99
- Category
：双极型晶体管
