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TK10E60W	文件：319.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.38Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK10E60W	文件：256.7 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
V10E60P	文件：1.71269 Mbytes Page：12 Pages	Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

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TK10E60W

文件：319.96 Kbytes

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.38Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

TK10E60W

文件：256.7 Kbytes

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection

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力特力特公司

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