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UNB-181N-SMD	文件：297.8 Kbytes Page：4 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：325.51 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：338.76 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors(SPG)	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：2.72288 Mbytes Page：6 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UPG181GR	文件：220.34 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •TwoIndependentIFChannels •IntegralSwitchingtoChannelInputtoEitherChannelOutput •InsertionLossPerChannel:5.0dBTYP.(ZO=50W) •FrequencyRange:950MHzto2150MHz •ChanneltoChannelIsolation:33dBTYP. •Small16-pinHTSSOPPackage	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG181GR	文件：148.89 Kbytes Page：4 Pages	GaAsMMICDBSTWINIFSWITCH DESCRIPTION NECsUPG181GRisintendedforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)applicationswithintheLowNoiseBlock(LNB)down-converterforsystemswhereatleasttwoLNBoutputsarerequired.Itofferstwointermediatefrequencyamplifierchannelsthatcanindependentlyselect1of2IFi	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG181GR	文件：56.55 Kbytes Page：12 Pages	GaAsMMICDBSTwinIFSwitch DESCRIPTION TheµPG181GRisintendedforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)applicationswithintheLowNoiseBlock(LNB)down-converterforsystemswhereatleasttwoLNBoutputsarerequired. Itofferstwointermediatefrequencyamplifierchannelsthatcanindependentlyselect1of2IFi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VDD181LCNA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
VDD181LCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD181LCTA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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产品属性

产品编号：
TMDS181RGZT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 专用
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
应用：
重计时器
电压 - 供电：
1.2V，3.3V
封装/外壳：
48-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
48-VQFN（7x7）
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC INTERFACE SPECIALIZED 48VQFN

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更多TMDS181RGZT供应商更新时间2025-5-29 17:32:00

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