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TMD2771EVM

包装:散装 类别:开发板,套件,编程器 评估板 - 传感器 描述:EVAL MODULE FOR TMD2771

AMS

Advanced Monolithic Systems

TSL2771

Light-to-DigitalConverterwithProximitySensing

Features •PatentedDual-DiodeArchitecture •1M:1DynamicRange •ProgrammableLEDDriveCurrent •ProgrammableInterruptFunction •AreaEfficient2mmx2mmDualFlatNo-Lead (FN)Package

OSRAMOSRAM GmbH

艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体

TSL2771

LIGHT-TO-DIGITALCONVERTERwithPROXIMITYSENSING

AMSCOams AG

艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司

UPC2771T

3V,2.9GHzSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS

DESCRIPTION TheµPC8182TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICoperatesat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=3

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC2771T

3V,2400MHzMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER

DESCRIPTION TheUPC2771TisaSiliconMonolithicintegratedcircuitwhichismanufacturedusingtheNESATIIIprocess.TheNESATIIIprocessproducestransistorswithfTapproaching20GHz.Thisamplifierwasdesignedasadriveramplifierfordigitalcellularapplications.Operatingona3volt

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC2771T

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS

FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Mediumoutputpower:μPC2762TB;PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2771TB;PO(1dB)=+11.5dBmTYP.@f=0.9GHz •Powergain:μPC2762TB;GP=13dBTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;GP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC2771T

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC2771T

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC2771TB

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC2771TB

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    TMD2771EVM

  • 制造商:

    ams

  • 类别:

    开发板,套件,编程器 > 评估板 - 传感器

  • 包装:

    散装

  • 传感器类型:

    近程,红外线和环境光

  • 接口:

    I²C

  • 电压 - 供电:

    2.6V ~ 3.6V

  • 所含物品:

    板,电缆

  • 使用的 IC/零件:

    TMD2771

  • 描述:

    EVAL MODULE FOR TMD2771

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
艾迈斯
22+
NA
500000
万三科技,秉承原装,购芯无忧
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AMS
22+
NA
3
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AMS
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SMD-8
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DFN8
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23+
DFN8
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TAS
14+
DFN8
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TAOS
24+
NA/
15578
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更多TMD2771EVM供应商 更新时间2025-7-12 15:01:00