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ESVA0G686M	文件：161.55 Kbytes Page：8 Pages	E/SVSeries	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PSLA0G686M	文件：170.11 Kbytes Page：8 Pages	PL/LSeries	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PSLC0G686M	文件：170.11 Kbytes Page：8 Pages	PL/LSeries	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
TCA0G686K	文件：152.63 Kbytes Page：14 Pages	Chiptantalumcapacitors	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
TCA0G686M	文件：152.63 Kbytes Page：14 Pages	Chiptantalumcapacitors	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
TCFGB0G686K	文件：139.36 Kbytes Page：16 Pages	Chiptantalumcapacitorswithopen-functionbuilt-in	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
TCFGB0G686M	文件：139.36 Kbytes Page：16 Pages	Chiptantalumcapacitorswithopen-functionbuilt-in	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
TCFGC0G686MCR	文件：135.44 Kbytes Page：12 Pages	Chiptantalumcapacitorswith(Fail-safeopenstructuretype)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
TCFGD0G686MCR	文件：121.1 Kbytes Page：13 Pages	Chiptantalumcapacitorswith(Fail-safeopenstructuretype)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
TCSCS0G686BAR	文件：284.21 Kbytes Page：8 Pages	ManganeseDioxideType	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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