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TMCS1108	文件：2.56765 Mbytes Page：40 Pages	TMCS1108 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.56765 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108	文件：2.68252 Mbytes Page：40 Pages	TMCS1108-Q1 AEC-Q100, 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.68252 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108	文件：300 bytes Page：1 Pages	具有内部基准的 100V 霍尔效应电流传感器 TMCS1108 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，能够测量直流或交流电流，并具有高精度、出色的线性度和温度稳定性。低漂移、温度补偿信号链可以在器件的温度范围内实现 <3% 的满量程误差。\n\n输入电流流经内部 1.8mΩ 导体时，此导体产生的磁场可由集成式霍尔效应传感器进行测量。这种结构省去了外部集中器并简化了设计。低导体电阻可更大限度减少功率损耗和热耗散。固有的电镀绝缘在电流路径与电路之间提供了 100V 功能型隔离。集成式电气屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。\n\n输出电压与输入电流成正比，并具有多个灵敏度选项。固定的灵敏度允许 TMCS1108 使用单个 3V 至 5.5 • 总体误差：典型值 ±1%，最大值 ±3%，–40°C 至 125°C \n• 失调电压误差：40mA\n• 线性误差：0.5%\n• 多个灵敏度选项： \n• TMCS1108A2B/U：100mV/A\n• TMCS1108A4B/U：400mV/A\n• 零漂移内部基准\n• 工作电源电压范围：3V 至 5.5V\n• 稳健的 100V 电隔离;	TI 德州仪器	TI
TMCS1108A1B	文件：2.56765 Mbytes Page：40 Pages	TMCS1108 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.56765 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108A1B-Q1	文件：2.68252 Mbytes Page：40 Pages	TMCS1108-Q1 AEC-Q100, 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.68252 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108A1BQDR	文件：2.56765 Mbytes Page：40 Pages	丝印：M08A1B；Package：SOIC；TMCS1108 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.56765 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108A1BQDRQ1	文件：2.68252 Mbytes Page：40 Pages	丝印：081BQ1；Package：SOIC；TMCS1108-Q1 AEC-Q100, 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.68252 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108A1BQDT	文件：2.56765 Mbytes Page：40 Pages	丝印：M08A1B；Package：SOIC；TMCS1108 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.56765 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108A1U	文件：2.56765 Mbytes Page：40 Pages	TMCS1108 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.56765 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
TMCS1108A1UQDR	文件：2.56765 Mbytes Page：40 Pages	丝印：M08A1U；Package：SOIC；TMCS1108 3 Functional Isolation Hall-Effect Current Sensor With 짹100-V Working Voltage 文件：2.56765 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Isolation working voltage VIOWM (rms) (V)：
71
Sensitivity (Typ) (mV/A)：
50
Sensitivity error (%)：
0.9
Sensitivity error drift (+/-) (Max) (ppm/°C)：
105
Input offset current (+/-) (Max) (mA)：
40
Input offset current drift (+/-) (Typ) (µA/°C)：
0.2
Features：
Internal Zero Current Reference Voltage
Small signal bandwidth (kHz)：
80
Supply voltage (Max) (V)：
5
Supply voltage (Min) (V)：
3
Iq (Max) (mA)：
5
CMTI (kV/µs)：
50

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