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B5819W	文件：63.04 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Powerdissipation PD:450mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:1A Collector-basevoltage VR:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
B5819W	文件：275.84 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
B5819W	文件：254.52 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE PRODUCTSUMMARY SOD-123Plastic-EncapsulateDiode FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
B5819W	文件：423.92 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
B5819W	文件：245.95 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
B5819W	文件：980.06 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
B5819W	文件：368.19 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyBarrierRectifier20-40Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •GuardRingProtection •LowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters •PowerDissipation:250mW •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
B5819W	文件：161.96 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES1.0AMPERES20-40VOLTS Description: Theseschottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplicationscircuitprotection,andvoltageclamping,Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss,Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhan	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B5819W	文件：465.61 Kbytes Page：2 Pages	SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications. MaximumRatingsandElectricalCharacteristics,SingleDiode@Ta=25℃	BAIDUMICROBaiDu Micro electrons Co., Ltd 吴迪微深圳市吴迪微电子有限公司	BAIDUMICRO
B5819W	文件：985.75 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE

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