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TMBT3906中文资料Transistor for low frequency small-signal amplification数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TMBT3906

参数属性

TMBT3906 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3

功能描述

Transistor for low frequency small-signal amplification

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:00:00

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TMBT3906规格书详情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:PNP
Complementary Product:TMBT3904
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Collector Current IC -0.15 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V

技术参数

  • 产品编号:

    TMBT3906,LM

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3

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