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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.57VatIF=5A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
ChipZenerDiode | FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司 | FORMOSA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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