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TMBF2506	文件：219.64 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE PHASE2.5AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS 文件：219.64 Kbytes 页数：2 Pages	CHONGQING 平伟实业	CHONGQING
TMBF2506	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bridge	PINGWEI 平伟	PINGWEI
TP2506ND	文件：669.85 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input i 文件：669.85 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2506NJ	文件：669.85 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input i 文件：669.85 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2506NW	文件：669.85 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input i 文件：669.85 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

技术参数

IF(A)：
2.5
VF@IF(V)：
1.1
IR@VR(uA)：
500
Ifsm(max)(A)：
75
Capacitance(pF)：
25
Tj(max)(°C)：
175
Package：
TMBF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TMBF2506供应商更新时间2025-10-11 11:06:00

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