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TM9410FS | N-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.85865 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
TM9410FS | MOSFET | Qwave 楷新 | Qwave | |
N-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.85863 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 文件：89.65 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Specification of High Power IR Emitting Diode Chip DESCRIPTION TS9410VB is a high power infrared, 940 nm surface emitting diode in GaAlAs technology with high radiant power and high speed. Polarity configuration is “n-up”. FEATURES • Package type: chip • Package form: single chip • Technology: surface emitter • Dimensions chip (L x W x H 文件：90.16 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TECHMOS |
25+ |
SOP-8 |
20300 |
TECHMOS原装特价TM9410FS即刻询购立享优惠#长期有货 |
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TECHMOS |
2025+ |
SOP-8 |
5000 |
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TMOS |
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SOIC-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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TMOS |
23+ |
SOIC-8 |
38277 |
原装正品,假一罚十 |
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TECHMOS |
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SOP8 |
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TM |
20+ |
SOP-8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
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TMOS |
25+ |
SOP8 |
5440 |
普通 |
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TMOS |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
SOIC-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TECHMOS |
2006 |
SOP8 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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更新时间2026-1-19 15:49:00
