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TM2312	文件：562 Kbytes Page：13 Pages	Digital audio processing circuit	TITANShenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd. 天微电子深圳市天微电子有限公司
2312	文件：16.47 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2312	文件：81.15 Kbytes Page：1 Pages	Pneumaticmuffler	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2312T	文件：761.47 Kbytes Page：2 Pages	PhotoelectronicSmokedetectorwithElectronicHeatSensing	SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas. Systemsensor advanced ideas.
AM2312	文件：464.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET20VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2312isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=20V RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@5.0A=41mΩ RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@4.5A=47mΩ Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance Capableof2.5Vgatedrive Loweron-resistanc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AM2312N	文件：317.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
AP2312GN	文件：68.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
APM2312	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2312A	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2312AC-TR	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
BC2312	文件：600.09 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION DC/DCConverters LoadSwitchingforPortableApplications	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司
BLM2312	文件：520.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司
CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=33mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CES2312	文件：1.88321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CHT2312PT	文件：284.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	TM2312	TM	2020+	原厂原装正品	8000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	TM2312	TM	2021+	原厂原封装	93628	原装进口现货假一罚百	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	TM2312	天微	2021+	SOP32	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	TM2312	TM(天微)	24+	SOP-32-300mil	5000	诚信服务,绝对原装原盘。	询价
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更多TM2312供应商更新时间2024-4-27 14:15:00

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