半桥驱动器

TM2101S是一个高电压、快速的功率MOS和IGBT驱动器,具有高端和低端两个通道。逻辑输入端可以匹配标准的CMOS和LSTTL输出端口。高端浮地通道可以直接驱动工作电压达到550V的N型MOS管和IGBT。本产品性能优良，质量可靠。 • VS引脚允许浮动的电压高达+550V，适用于自举升压操作\n• 栅极驱动器的电压范围宽（10V~17V)\n• 欠压锁定功能\n• 输入兼容3.3V、5V CMOS逻辑电平\n• 所有输入引脚都有CMOS施密特触发器，提高抗噪声能力\n• 高端输出相位与HIN同相\n• 低端输出相位与LIN同相\n• 内置逻辑保护\n• 内置死区时间\n• 拉电流能力为130mA\n• 灌电流能力为270mA;

TM

天微

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input imped

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SUTEX

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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SUTEX

Insert Molded Coil

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FRONTIER

HIGH SPEED SMT MAGNETIC MODULES

文件：172.02 Kbytes 页数：5 Pages

XFMRS

One-way flow control valve

文件：83.25 Kbytes 页数：1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托（中国）有限公司