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HMS15N80F	文件：595.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXFC15N80Q	文件：517.57 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETISOPLUS220MOSFETQ-ClassElectricallyIsolatedBackSurface	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC15N80Q	文件：323.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH15N80	文件：372.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH15N80	文件：100 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH15N80Q	文件：111.9 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastswitching •MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH15N80Q	文件：337.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR15N80	文件：330.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR15N80Q	文件：35.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247QClass HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™QClass(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT15N80Q	文件：111.9 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastswitching •MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市南科功率半导体有限公司	TM15P03S	NK/南科功率	2025+	SOP-8L	99988	国产场效应管	询价
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