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TZ1201XBG	文件：1.84308 Mbytes Page：89 Pages	CMOSDigitalIntegratedCircuitSiliconMonolithic	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UCLAMP1201H	文件：163.37 Kbytes Page：7 Pages	關ClampTM1-LineESDProtection	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
UCLAMP1201H.TCT	文件：163.37 Kbytes Page：7 Pages	關ClampTM1-LineESDProtection	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
UCLAMP1201P	文件：284.42 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-smallpackage(1.0x0.6x0.5mm) Description TheUClampseriesofTVSarraysaredesignedtoprotect sensitiveelectronicsfromdamageorlatch-updue toESD.Itisdesignedtoreplacemultilayervaristors MLVs)inportableapplicationssuchascellphones, note-bookcomputers,andPDAs.Itfeatureslarge cross-sec-tionala	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
UCLAMP1201P	文件：164.71 Kbytes Page：7 Pages	關ClampTM1-LineESDprotection	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
UCLAMP1201P.TCT	文件：164.71 Kbytes Page：7 Pages	關ClampTM1-LineESDprotection	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
UCS1201	文件：166.41 Kbytes Page：5 Pages	LOWVOLTAGESYNCHRONOUSBUCKCONTROLLER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VB1201K	文件：628.91 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •100RgandUISTested •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1201K	文件：1.32253 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1201K	文件：1.31455 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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深圳市欧立现代科技有限公司	TM1201	TM原装	24+	SOP8	3500	原装现货,可开13%税票	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	TM120-155-06-32	TRANSCOM	23+		11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司	TM-1201-A		24+	N/A	57000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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