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TLV9101	文件：6.91109 Mbytes Page：91 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 1 Features • Rail-to-rail input and output • Wide bandwidth: 1.1-MHz GBW • Low quiescent current: 120 μA per amplifier • Low offset voltage: ±300 μV • Low offset voltage drift: ±0.6 μV/°C • Low noise: 28 nV/√Hz at 10 kHz • High common-mode rejection: 110 dB • Low bias current: ±10 pA • Hi 文件：6.91109 Mbytes 页数：91 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：896.68 Kbytes Page：32 Pages	16-V, 1.25-MHz, rail-to-rail input/output, low power op amp 文件：896.68 Kbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：3.69195 Mbytes Page：58 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：3.69195 Mbytes 页数：58 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：2.38815 Mbytes Page：50 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：2.38815 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：4.61427 Mbytes Page：64 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：4.61427 Mbytes 页数：64 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：4.80624 Mbytes Page：66 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：4.80624 Mbytes 页数：66 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：4.80569 Mbytes Page：66 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：4.80569 Mbytes 页数：66 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：5.46953 Mbytes Page：76 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：5.46953 Mbytes 页数：76 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：6.12094 Mbytes Page：79 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：6.12094 Mbytes 页数：79 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9101	文件：6.20224 Mbytes Page：81 Pages	TLV910x 16-V, 1-MHz, Rail-to-Rail Input/Output, Low Power Op Amp 文件：6.20224 Mbytes 页数：81 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In
GBW (Typ) (MHz)：
1.1
Slew rate (Typ) (V/us)：
4.5
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
1.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.12
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
30
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.6
Features：
Cost Optimized
CMRR (Typ) (dB)：
110
Output current (Typ) (mA)：
80
Architecture：
CMOS

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