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TLV9002	文件：2.34303 Mbytes Page：46 Pages	TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt 文件：2.34303 Mbytes 页数：46 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：2.02079 Mbytes Page：45 Pages	TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt 文件：2.02079 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：2.45293 Mbytes Page：49 Pages	TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt 文件：2.45293 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：2.41862 Mbytes Page：48 Pages	TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt 文件：2.41862 Mbytes 页数：48 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：6.43013 Mbytes Page：98 Pages	TLV900x Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 1 Features • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset voltage: ±0.4 mV • Unity-gain bandwidth: 1 MHz • Low broadband noise: 27 nV/√Hz • Low input bias current: 5 pA • Low quiescent current: 60 μA/Ch • Unity-gain stable • Internal 文件：6.43013 Mbytes 页数：98 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：3.07191 Mbytes Page：55 Pages	TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt 文件：3.07191 Mbytes 页数：55 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：997.26 Kbytes Page：32 Pages	TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 文件：997.26 Kbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：5.32948 Mbytes Page：82 Pages	TLV900x Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 文件：5.32948 Mbytes 页数：82 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：1.23746 Mbytes Page：32 Pages	TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 文件：1.23746 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV9002	文件：4.12702 Mbytes Page：70 Pages	Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 文件：4.12702 Mbytes 页数：70 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In
GBW (Typ) (MHz)：
1
Slew rate (Typ) (V/us)：
2
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
1.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.06
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
30
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.6
Features：
Cost Optimized
CMRR (Typ) (dB)：
90
Output current (Typ) (mA)：
40
Architecture：
CMOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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