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TLV5616CDGKR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）类别：集成电路（IC）数模转换器（DAC）描述：IC DAC 12BIT V-OUT 8VSSOP	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
TLV5616CDGKRG4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）类别：集成电路（IC）数模转换器（DAC）描述：IC DAC 12BIT V-OUT 8VSSOP	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
5616	文件：87.16 Kbytes Page：6 Pages	2-FUNCTION,4-DIGITLCDAUTOMOTIVECLOCK-PROGRAMMABLE FEATURES ■DigitalTuningofCrystalFrequency ■PROMforStoringFrequencyCorrectionInformation ■12or24HourTimekeepingOption ■FlashingColon ■TwoSwitchesControlAllSettingFunctions ■HighNoiseImmunity ■InternalPower-UpResetCircuitry ■InternalVoltageRegulation	Allegro Allegro MicroSystems
5616-RC	文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ALC5616	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC5616-CG	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC5616-CGT	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
AOZ5616QI	文件：2.28076 Mbytes Page：17 Pages	High-Current,High-PerformanceDrMOSPowerModule GeneralDescription TheAOZ5616QIisahighefficiencysynchronousbuck powerstagemoduleconsistingoftwoasymmetrical MOSFETsandanintegrateddriver.TheMOSFETsare individuallyoptimizedforoperationinthesynchronous buckconfiguration.TheHigh-SideMOSFETisoptimized toachieve	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
BCP5616	文件：150.69 Kbytes Page：9 Pages	LowpowerNPNTransistor SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPMEDIUMVOLTAGETRANSISTORS ■SOT-223PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPESAREBCP52-16ANDBCP53-16RESPECTIVELY APPLICATIONS ■MEDIUMVOLTAGELOADSWITCHTRANSISTORS ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BCP5616Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616Q	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTA	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTA	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTC	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTC	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616T	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features BVCEO>80V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent 2WPowerDissipation LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TC	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TQ	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TQTA	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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产品属性

产品编号：
TLV5616CDGKR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
卷带（TR）
位数：
12
数模转换器数：
1
建立时间：
20µs
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
SPI
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
2.7V ~ 3.3V，5V
电压 - 供电，数字：
2.7V ~ 3.3V，5V
INL/DNL (LSB)：
±1.9，±0.5
架构：
电阻串 DAC
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-VSSOP
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC DAC 12BIT V-OUT 8VSSOP

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更多TLV5616CDGKR供应商更新时间2024-4-28 9:06:00

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