TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range:

文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages

TI

德州仪器

3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

文件：840.8 Kbytes 页数：32 Pages

TI

德州仪器

3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

文件：952.38 Kbytes 页数：34 Pages

TI

德州仪器

3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

文件：1.70148 Mbytes 页数：37 Pages

TI

德州仪器

Automotive-grade, quad, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier

TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流（5V 时典型值为 150µA）、3MHz 高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择。\n\nTLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF，集成 RF 和 EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具 • 符合汽车类应用的 要求\n• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果： \n• 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围\n• 器件 HBM ESD 分类等级 3A\n• 器件 CDM ESD 分类等级 C6\n \n• 低偏移电压：0.75mV（典型值）\n• 低输入偏置电流：1pA（典型值）\n• 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V\n• 轨到轨输入和输出\n• 增益带宽：3MHz\n• 低 IQ：每通道 250µA（最大值）\n• 低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz\n• 内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器\n• 通道数量： \n•;

TI

德州仪器