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TLV2252AM	文件：817.46 Kbytes Page：36 Pages	Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS Qualified for Automotive Applications ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 150 V (TLV2252/52A) and 100 V (TLV2254/54A) Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) Output Swing Includes Both Supply Rails Low Noise . . . 19 nV/√Hz Typ at f = 1 kHz Low Input Bias Cur 文件：817.46 Kbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AM	文件：1.039589 Mbytes Page：41 Pages	Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS Controlled Baseline − One Assembly/Test Site, One Fabrication Site Extended Temperature Performance of −40°C to 125°C Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support Enhanced Product-Change Notification Qualification Pedigree† ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Metho 文件：1.039589 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AM	文件：735.01 Kbytes Page：37 Pages	Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：735.01 Kbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AM	文件：2.06631 Mbytes Page：59 Pages	VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：2.06631 Mbytes 页数：59 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AM	文件：1.27758 Mbytes Page：39 Pages	Advanced LinCMOS RAIL-TO-RALIL VERY-LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.27758 Mbytes 页数：39 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AMFK	文件：1.21842 Mbytes Page：60 Pages	Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.21842 Mbytes 页数：60 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AMFK	文件：1.30248 Mbytes Page：55 Pages	Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.30248 Mbytes 页数：55 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AMFKB	文件：1.30248 Mbytes Page：55 Pages	Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.30248 Mbytes 页数：55 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AMFKB	文件：1.23122 Mbytes Page：53 Pages	ADVANCED LINCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.23122 Mbytes 页数：53 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2252AMJG	文件：1.21842 Mbytes Page：60 Pages	Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.21842 Mbytes 页数：60 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.85
GBW (Typ) (MHz)：
0.2
Features：
High Cload Drive
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.12
Rail-to-rail：
In to V-
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.035
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
19
CMRR (Typ) (dB)：
83
Rating：
Military
Operating temperature range (C)：
-55 to 125
Input bias current (Max) (pA)：
60
Output current (Typ) (mA)：
8
Architecture：
CMOS
THD + N @ 1 kHz (Typ) (%)：
0.2

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