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TLP291GB	文件：290.45 Kbytes Page：13 Pages	GaAsIRED&PHOTO-TRANSISTOR PowerSuppliesProgrammableControllersHybridICs TLP291consistsofphototransistor,opticallycoupledtoagalliumarsenideinfraredemittingdiode.TLP291ishousedintheSO4package,verysmallandthincoupler. SinceTLP291isguaranteedwideoperatingtemperature(Ta=-55to110˚C)and	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
U291	文件：71.14 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UG-291	文件：278.37 Kbytes Page：16 Pages	TheSDP-Sboardisdesignedtobeusedinconjunction	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
VDD291LCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
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VDD291SCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD291SNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
WQAC291A	文件：260.399 Kbytes Page：6 Pages	SMDAirWoundCoilInductors	WALSINWALSIN TECHNOLOGY CORPORATION 华新科技华新科技股份有限公司	WALSIN

详细参数

型号：
TLP291(GR-TP,E)
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Photo-IC 50mA IF 3750 Vrms 80V VCEO
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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