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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2704GRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement applicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=11.2mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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