XENSIV ™ - TLE5555ICB E1-TOP 采用烧结铁氧体背偏置磁体，开启 TMR 变速箱速度传感器的新时代

在技术进步的前沿，TMR 速度传感器已经成为比传统霍尔传感器更优越的选择。新一代传感器彻底改变了速度传感应用，提供了无与伦比的性能、可靠性和效率，从而确保在任何环境下都能获得最佳结果。告别限制，开启系统效率和生产力的新水平。 • 非凡的精度和分辨率\n• 顶部读取功能\n• 提高气隙和抖动性能\n• 适用于所有标准协议\n• 适用于低成本铁氧体背偏置磁铁\n• 可与集成磁铁一起使用\n• 安全性：符合 ISO26262 标准的开发\n• 可根据要求进行客户编程;

Infineon

英飞凌

MOS INTEGRATED CIRCUIT

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

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NEC

瑞萨

MOS INTEGRATED CIRCUIT

CMOS TIMER CIRCUIT

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RENESAS

瑞萨

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