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TLE5109A16D E1210中文资料XENSIV ™ - TLE5109A16D E1210 磁角度传感器,具有宽磁场范围数据手册Infineon规格书

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厂商型号

TLE5109A16D E1210

功能描述

XENSIV ™ - TLE5109A16D E1210 磁角度传感器,具有宽磁场范围

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-17 23:00:00

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TLE5109A16D E1210规格书详情

描述 Description

TLE5109A16D E1210 超精密、快速模拟 AMR 角度传感器。通过将基于 AMR 的 TLE5109 系列添加到现有的基于 GMR 的 TLE5009 和多样化的 TLE5309 产品中,英飞凌还提高了客户的设计灵活性。由于所有 TLE5x09 传感器的引脚配置和接口相同,因此可以快速轻松地进行产品版本互换。

特性 Features

• AMR 原理
• 同类最佳典型值。角度误差为 0.2°
• 低电流消耗
• 预放大 AMR 传感器输出
• 宽磁场 R:10mT 至 > 500mT
• 符合 ISO 26262 标准,目标是 ASIL D

应用 Application

• 通用电机驱动器

技术参数

  • 制造商编号

    :TLE5109A16D E1210

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ISO 26262

    :ready

  • Supply Voltage

    :-0.5 V to 6.5 V

  • Supply Voltage

    :-0.5 V to 6.5 V

  • Supply Voltage((V))

    :-0.5-6.5

  • Supply Voltage((V))

    :-0.5-6.5

  • Classification

    :ISO 26262-ready

  • Classification

    :ISO 26262-ready

  • Package

    :Dual SMD

  • Package

    :Dual SMD

  • Technology

    :AMR

  • Technology

    :AMR

  • Interfaces

    :Analog

  • Interfaces

    :Analog

  • Temperature

    :-40 °C to 125 °C

  • Temperature

    :-40 °C to 125 °C

  • Magnetic field

    :20 mT to 500 mT

  • Magnetic field

    :20 mT to 500 mT

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