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VB4290	文件：712.15 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VB4290A	文件：767.23 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBBD4290	文件：827.62 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBBD4290A	文件：928.09 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LITTLEFOOT®PlusPowerMOSFET •UltraLowVFSchottky •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •ChargingSwitchforPortableDevices -WithIntegratedLowVFTrenchSchottkyDiode	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBBD4290A	文件：811.66 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TLE4290GXT
功能描述：
低压差稳压器 - LDO 5-V Low Drop Voltage Regulator
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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