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TLE2425MD	文件：230.59 Kbytes Page：16 Pages	PRECISIONVIRTUALGROUND	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLE2425MDR	文件：451.97 Kbytes Page：22 Pages	PRECISIONVIRTUALGROUND	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLE2425MFKB	文件：451.97 Kbytes Page：22 Pages	PRECISIONVIRTUALGROUND	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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TN2425	文件：768.61 Kbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TN2425	文件：447.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertexswell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN2425	文件：686.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN2425	文件：435.11 Kbytes Page：5 Pages	LowThresholdN-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

产品属性

产品编号：
TLE2425ID
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
管件
参考类型：
接地参考（虚拟）
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
2.5V
容差：
±0.8%
温度系数：
标准为 20ppm/°C
噪声 - 10Hz 至 10Hz：
100µVrms
电压 - 输入：
4V ~ 40V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC VREF GND REF 0.8% 8SOIC

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更多TLE2425ID供应商更新时间2025-5-26 9:03:00

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