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TLE2061BMJG	文件：1.50974 Mbytes Page：75 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50974 Mbytes 页数：75 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BMJG	文件：956.49 Kbytes Page：63 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：956.49 Kbytes 页数：63 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BMJG	文件：1.72648 Mbytes Page：78 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.72648 Mbytes 页数：78 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BMJGB	文件：1.50974 Mbytes Page：75 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50974 Mbytes 页数：75 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BMJGB	文件：1.69707 Mbytes Page：78 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.69707 Mbytes 页数：78 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BMJGB	文件：1.72648 Mbytes Page：78 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.72648 Mbytes 页数：78 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BMJGB	文件：2.11277 Mbytes Page：81 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：2.11277 Mbytes 页数：81 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BMJGB	文件：2.19927 Mbytes Page：83 Pages	EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE POWER OPERATIONAL AMPLIFERS 文件：2.19927 Mbytes 页数：83 Pages	TI 德州仪器	TI
TLE2061BM	文件：300 bytes Page：1 Pages	军用级、单通道、36V、2MHz、输入接近 V+、500μV 失调电压、JFET 输入运算放大器 The TLE206x series of low-power JFET-input operational amplifiers doubles the bandwidth of the earlier generation TL06x and TL03x BiFET families without significantly increasing power consumption. Texas Instruments Excalibur process also delivers a lower noise floor than the TL06x and TL03x. On-chip • 2× Bandwidth (2 MHz) of the TL06x and TL03x Operational Amplifiers\n• Low Supply Current ... 290 µA/Ch Typ\n• On-chip Offset Voltage Trimming for Improved DC Performance\n• High Output Drive, Specified into 100- Loads\n• Lower Noise Floor Than Earlier Generations of Low-Power BiFETs;	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Rail-to-rail：
In to V+
GBW (typ) (MHz)：
2
Slew rate (typ) (V/µs)：
3.4
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)：
0.5
Iq per channel (typ) (mA)：
0.29
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)：
40
Rating：
Military
Operating temperature range (°C)：
-55 to 125
Offset drift (typ) (µV/°C)：
6
Input bias current (max) (pA)：
60
CMRR (typ) (dB)：
90
Iout (typ) (A)：
0.045
Architecture：
FET
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)：
3
Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)：
1
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)：
1.3
Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)：
-1.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TLE2061B供应商更新时间2025-10-9 17:00:00

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