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NTE2942	文件：25.93 Kbytes Page：3 Pages	MOSFETN-Channel,EnhancementModeHighSpeedSwitch Features: ●LowStaticDrain–SourceONResistance ●ImprovedInductiveRuggedness ●FastSwitchingTimes ●LowInputCapacitance ●ExtendedSafeOperatingArea ●TO220TypeIsolatedPackage	NTE NTE Electronics	NTE
PA2942NL	文件：1.47816 Mbytes Page：3 Pages	POWERMAGNETICS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
RF2942	文件：206.8 Kbytes Page：12 Pages	UHFQUADRATUREMODULATORANDTRANSMITTER ProductDescription TheRF2942isanintegratedpoweramplifierandquadraturemodulatorIC.Thequadraturemodulatorisdrivenwithasingle-endedlocaloscillator(LO)source.ThequadraturephasegenerationoftheLOisaccomplishedusinganinternalpassivenetworktunedfortwicetheoperat	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SD2942	文件：288.66 Kbytes Page：5 Pages	HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF VHF/UHFradioanddigitalcellularBTSapplications HFto2000MHzclassABcommonsource-PowerFLAT VHF/UHFradioapplications HFto2000MHzclassABcommoncource-ceramicpackages UHFTVanddigitalcellularBTSapplications 2to	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD2942	文件：349.7 Kbytes Page：14 Pages	RFPowerTransistorsHF/VHF/UHFN-ChannelMOSFETs HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF VHF/UHFradioanddigitalcellularBTSapplications HFto2000MHzclassABcommonsource-PowerFLAT VHF/UHFradioapplications HFto2000MHzclassABcommoncource-ceramicpackages UHFTVanddigitalcellularBTSapplications 2	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STAC2942B	文件：580.14 Kbytes Page：16 Pages	HF/VHF/UHFRFpowerN-channelMOSFETs Description TheSTAC2942BisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor,intendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. Features •Goldmetallization •Excellentthermalstability •Commonsourcepush-pullconfiguration •POUT=350Wmin.with21	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STAC2942BW	文件：580.14 Kbytes Page：16 Pages	HF/VHF/UHFRFpowerN-channelMOSFETs Description TheSTAC2942BisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor,intendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. Features •Goldmetallization •Excellentthermalstability •Commonsourcepush-pullconfiguration •POUT=350Wmin.with21	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STAC2942F	文件：533.96 Kbytes Page：16 Pages	Excellentthermalstability Description TheSTAC2942FisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor.Itisintendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. Features ■Goldmetallization ■Excellentthermalstability ■Commonsourcepush-pullconfiguration ■POUT=350Wmin.wi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TLC2942	文件：479.29 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-PERFORMANCEDUALPHASE-LOCKEDLOOPBUILDINGBLOCK	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLC2942	文件：459.57 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-PERFORMANCEDUALPHASE-LOCKEDLOOPBUILDINGBLOCK	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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