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TLC27M9CDRG4

丝印:TLC27M9C;Package:SOIC;LinCMOS??PRECISION QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS

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德州仪器

TLC27M9CN

丝印:TLC27M9CN;Package:PDIP;LinCMOS??PRECISION QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS

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德州仪器

TLC27M9CN

丝印:TLC27M9CN;Package:PDIP;LinCMOS??PRECISION QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS

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TLC27M9ID

丝印:TLC27M9I;Package:SOIC;LinCMOS??PRECISION QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS

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德州仪器

TLC27M9ID

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TLC27M9IDR

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TLC27M9IDR

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TLC27M9IDRG4

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德州仪器

TLC27M9IDRG4

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TLC27M9IN

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技术参数

  • Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV):

    0.9

  • GBW (typ) (MHz):

    0.525

  • Slew rate (typ) (V/µs):

    0.46

  • Rail-to-rail:

    In to V-

  • Offset drift (typ) (µV/°C):

    1.7

  • Iq per channel (typ) (mA):

    0.105

  • Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz):

    32

  • CMRR (typ) (dB):

    91

  • Rating:

    Catalog

  • Operating temperature range (°C):

    -40 to 85

  • Input bias current (max) (pA):

    60

  • Iout (typ) (A):

    0.008

  • Architecture:

    CMOS

  • Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V):

    -0.3

  • Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V):

    -0.8

  • Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V):

    0

  • Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V):

    -1.1

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