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TLC27M2BID	文件：1.80069 Mbytes Page：49 Pages	丝印：27M2BI；Package：SOIC；LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.80069 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIDG4	文件：1.80069 Mbytes Page：49 Pages	丝印：27M2BI；Package：SOIC；LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.80069 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIDG4	文件：1.50311 Mbytes Page：50 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50311 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIDR	文件：1.50311 Mbytes Page：50 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50311 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIDR	文件：1.80069 Mbytes Page：49 Pages	丝印：27M2BI；Package：SOIC；LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.80069 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIDRG4	文件：1.50311 Mbytes Page：50 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50311 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIP	文件：509.87 Kbytes Page：34 Pages	LinCMOSE PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：509.87 Kbytes 页数：34 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIP	文件：1.50311 Mbytes Page：50 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50311 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2BIPE4	文件：1.50311 Mbytes Page：50 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50311 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2B	文件：300 bytes Page：1 Pages	双通道、16V、525kHz、输入接近 V-、2mV 失调电压运算放大器 The TLC27M2 and TLC27M7 dual operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift, high input impedance, low noise, and speeds approaching that of general-purpose bipolar devices.These devices use Texas Instruments silicon-gate LinCMOS technology, • Trimmed Offset Voltage: \n• Input Offset Voltage Drift...Typically 0.1 µV/Month, Including the First 30 Days\n• 0°C to 70°C...3 V to 16 V\n• –55°C to 125°C...4 V to 16 V\n• Single-Supply Operation\n• Low Noise...Typically 32 nV/ Hz at f = 1 kHz\n• Output Voltage Range Includes Negative Rail\n• E;	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (typ) (MHz)：
0.525
Slew rate (typ) (V/µs)：
0.46
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)：
2
Iq per channel (typ) (mA)：
0.105
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)：
32
Rating：
Catalog
Operating temperature range (°C)：
-40 to 85
Offset drift (typ) (µV/°C)：
1.7
Input bias current (max) (pA)：
60
CMRR (typ) (dB)：
91
Iout (typ) (A)：
0.008
Architecture：
CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)：
-0.3
Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)：
-1
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)：
0.03
Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)：
-1.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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