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TLC27M2IP	文件：1.80069 Mbytes Page：49 Pages	丝印：TLC27M2IP；Package：PDIP；LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.80069 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual, 16-V, 525-kHz, In to V- operational amplifier The TLC27M2 and TLC27M7 dual operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift, high input impedance, low noise, and speeds approaching that of general-purpose bipolar devices.These devices use Texas Instruments silicon-gate LinCMOS technology, • Trimmed Offset Voltage: \n• Input Offset Voltage Drift...Typically 0.1 µV/Month, Including the First 30 Days\n• 0°C to 70°C...3 V to 16 V\n• –55°C to 125°C...4 V to 16 V\n• Single-Supply Operation\n• Low Noise...Typically 32 nV/ Hz at f = 1 kHz\n• Output Voltage Range Includes Negative Rail\n• ES;	TI 德州仪器	TI
TLC27M2_V01	文件：1.80069 Mbytes Page：49 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.80069 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2A	文件：1.80069 Mbytes Page：49 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.80069 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2A	文件：509.87 Kbytes Page：34 Pages	LinCMOSE PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：509.87 Kbytes 页数：34 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2A	文件：1.54218 Mbytes Page：50 Pages	LINCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.54218 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2ACD	文件：1.54218 Mbytes Page：50 Pages	LINCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.54218 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2ACD	文件：509.87 Kbytes Page：34 Pages	LinCMOSE PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：509.87 Kbytes 页数：34 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2ACD	文件：1.50311 Mbytes Page：50 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.50311 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC27M2ACD	文件：1.80069 Mbytes Page：49 Pages	丝印：27M2AC；Package：SOIC；LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.80069 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
0.525
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.46
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
10
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.105
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
32
Rating：
Automotive
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1.7
Features：
—
Input bias current (Max) (pA)：
60
CMRR (Typ) (dB)：
91
Output current (Typ) (mA)：
8
Architecture：
CMOS

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