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TLC277	文件：1.39356 Mbytes Page：52 Pages	LinCMOS. PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Trimmed Offset Voltage: TLC277 . . . 500 μV Max at 25°C, VDD = 5 V Input Offset Voltage Drift . . . Typically 0.1 μV/Month, Including the First 30 Days Wide Range of Supply Voltages Over Specified Temperature Range: 0°C to 70°C . . . 3 V to 16 V –40°C to 85°C . . . 4 V to 16 V –55°C to 12 文件：1.39356 Mbytes 页数：52 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：588.62 Kbytes Page：36 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：588.62 Kbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：575.01 Kbytes Page：36 Pages	LinCMOS??PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：575.01 Kbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：1.52297 Mbytes Page：51 Pages	LinCMOS田?PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.52297 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：1.48565 Mbytes Page：51 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.48565 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：1.79433 Mbytes Page：53 Pages	PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.79433 Mbytes 页数：53 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：1.5233 Mbytes Page：51 Pages	LinCMOS田?PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.5233 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：1.85001 Mbytes Page：51 Pages	LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.85001 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC277	文件：300 bytes Page：1 Pages	双路精密单电源运算放大器 The TLC272 and TLC277 precision dual operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift, high input impedance, low noise, and speeds approaching those of general-purpose BiFET devices.\n\n These devices use Texas Instruments silicon-gate LinCMOS • Trimmed Offset Voltage: TLC277 . . . 500 uV Max at 25°C, VDD = 5 V\n• Wide Range of Supply Voltages Over Specified Temperature Range: 0°C to 70°C 3 V to 16 V –40°C to 85°C 4 V to 16 V –55°C to 125°C 4 V to 16 V\n• Common-Mode Input Voltage Range Extends Below t;	TI 德州仪器	TI
TLC277CD	文件：1.39356 Mbytes Page：52 Pages	丝印：277C；Package：SOIC(D)；LinCMOS. PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Trimmed Offset Voltage: TLC277 . . . 500 μV Max at 25°C, VDD = 5 V Input Offset Voltage Drift . . . Typically 0.1 μV/Month, Including the First 30 Days Wide Range of Supply Voltages Over Specified Temperature Range: 0°C to 70°C . . . 3 V to 16 V –40°C to 85°C . . . 4 V to 16 V –55°C to 12 文件：1.39356 Mbytes 页数：52 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.5
GBW (Typ) (MHz)：
1.7
Features：
—
Slew rate (Typ) (V/us)：
3.6
Rail-to-rail：
In to V-
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1.8
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.7
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
25
CMRR (Typ) (dB)：
80
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Input bias current (Max) (pA)：
60
Output current (Typ) (mA)：
10
Architecture：
CMOS

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