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TLC272AIDR	文件：1.39356 Mbytes Page：52 Pages	LinCMOS. PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Trimmed Offset Voltage: TLC277 . . . 500 μV Max at 25°C, VDD = 5 V Input Offset Voltage Drift . . . Typically 0.1 μV/Month, Including the First 30 Days Wide Range of Supply Voltages Over Specified Temperature Range: 0°C to 70°C . . . 3 V to 16 V –40°C to 85°C . . . 4 V to 16 V –55°C to 12 文件：1.39356 Mbytes 页数：52 Pages	TI 德州仪器	TI
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TLC272AIDR	文件：1.85001 Mbytes Page：51 Pages	丝印：272AI；Package：SOIC；LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.85001 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
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TLC272AIDRG4	文件：1.39356 Mbytes Page：52 Pages	LinCMOS. PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Trimmed Offset Voltage: TLC277 . . . 500 μV Max at 25°C, VDD = 5 V Input Offset Voltage Drift . . . Typically 0.1 μV/Month, Including the First 30 Days Wide Range of Supply Voltages Over Specified Temperature Range: 0°C to 70°C . . . 3 V to 16 V –40°C to 85°C . . . 4 V to 16 V –55°C to 12 文件：1.39356 Mbytes 页数：52 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
TLC272AIDR
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual LiNCMOS Prec
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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