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TLC271	文件：1.21853 Mbytes Page：74 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.21853 Mbytes 页数：74 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271	文件：1.35574 Mbytes Page：82 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.35574 Mbytes 页数：82 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271	文件：1.93445 Mbytes Page：83 Pages	LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS 文件：1.93445 Mbytes 页数：83 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271	文件：2.36894 Mbytes Page：84 Pages	LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：2.36894 Mbytes 页数：84 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single, 16-V, 2-MHz, In to V- operational amplifier The TLC271 operational amplifier combines a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift and high input impedance. In addition, the TLC271 offers a bias-select mode that allows the user to select the best combination of power dissipation and ac performance for a particular • Input Offset Voltage Drift...Typically 0.1 uV/Month, Including the First 30 Days\n• 0°C to 70°C...3 V to 16 V\n• -55°C to 125°C...5 V to 16 V\n• Common-Mode Input Voltage Range Extends Below the Negative Rail (C-Suffix and I-Suffix Types)\n• Output Voltage Range Includes Negative Rail\n• ESD-Prote;	TI 德州仪器	TI
TLC271_01	文件：1.35574 Mbytes Page：82 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.35574 Mbytes 页数：82 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271_V01	文件：2.36894 Mbytes Page：84 Pages	LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：2.36894 Mbytes 页数：84 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271A	文件：1.35574 Mbytes Page：82 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.35574 Mbytes 页数：82 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271A	文件：1.21853 Mbytes Page：74 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.21853 Mbytes 页数：74 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271A	文件：2.36894 Mbytes Page：84 Pages	LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：2.36894 Mbytes 页数：84 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
2
Slew rate (Typ) (V/us)：
3.6
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
10
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.675
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
25
Rating：
Automotive
Operating temperature range (C)：
-55 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1.8
Features：
Shutdown
Input bias current (Max) (pA)：
60
CMRR (Typ) (dB)：
80
Output current (Typ) (mA)：
10
Architecture：
CMOS

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