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技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.85
GBW (Typ) (MHz)：
0.2
Features：
High Cload Drive
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.12
Rail-to-rail：
In to V-
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.035
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
19
CMRR (Typ) (dB)：
83
Rating：
Military
Operating temperature range (C)：
-55 to 125
Input bias current (Max) (pA)：
60
Output current (Typ) (mA)：
8
Architecture：
CMOS
THD + N @ 1 kHz (Typ) (%)：
0.2

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