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TLC2201-SP	文件：869.53 Kbytes Page：22 Pages	CLASS V, ADVANCED LinCMOS??LOW NOISE PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：869.53 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC2201-SP	文件：1.76687 Mbytes Page：70 Pages	Advanced LinCMOSE LOW-NOISE PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.76687 Mbytes 页数：70 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC2201-SP	文件：1.76743 Mbytes Page：70 Pages	Advanced LinCMOSE LOW-NOISE PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.76743 Mbytes 页数：70 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC2201-SP	文件：1.90475 Mbytes Page：71 Pages	Advanced linCMOS LOW-NOISE PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.90475 Mbytes 页数：71 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC2201-SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	航天级低噪声精密高级 LinCMOS™ 单路运算放大器 TLC2201 是一款精密、低噪声运算放大器，运用了 TI 先进的 LinCMOS 制造工艺。该器件将极低噪声 JFET 放大器的噪声性能与以往仅双极型放大器可提供的直流 (dc) 精度完美地组合在了一起。 Advanced LinCMOS工艺采用硅栅技术来获得远远超过采用金属栅技术所能获得的随温度和时间变化的输入失调电压稳定性。此外，这项工艺技术还可实现达到或超过顶栅 JFET 和昂贵的介质隔离器件所提供的输入阻抗位准 (impedance level)。由于兼具卓越的直流和噪声性能以及一个包括负电源轨的共模输入范围，因而使得这些器件非常适合于单电源或分离电源配置中的高阻抗、低电平信号 • 符合 QML-V 标准要求的 SMD5962-9088203V2A \n• 在整个温度范围内提供了出色的失调电压稳定性： 0.05μV/℃ （典型值）\n• 低输入偏置电流：在 TA = 25℃ 时的典型值为 1pA\n• 技术规格针对单电源及分离电源操作全面拟订\n LinCMOS is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.2
GBW (Typ) (MHz)：
1.8
Features：
—
Slew rate (Typ) (V/us)：
2.5
Rail-to-rail：
In to V-
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
1
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
8
CMRR (Typ) (dB)：
110
Rating：
Space
Operating temperature range (C)：
-55 to 125
Input bias current (Max) (pA)：
60
Output current (Typ) (mA)：
4.5
Architecture：
CMOS

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