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TL431CDT中文资料128Mb F-die SDRAM Specification数据手册Samsung规格书

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厂商型号

TL431CDT

参数属性

TL431CDT 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的电压基准;产品描述:IC VREF SHUNT ADJ 2.21% 8SO

功能描述

128Mb F-die SDRAM Specification

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Samsung Samsung semiconductor

中文名称

三星 三星半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    TL431CDT

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 电压基准

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 参考类型:

    分流器

  • 输出类型:

    可调式

  • 电压 - 输出(最小值/固定):

    2.495V

  • 容差:

    ±2.21%

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC VREF SHUNT ADJ 2.21% 8SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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