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TL051	文件：1.49127 Mbytes Page：67 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.49127 Mbytes 页数：67 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TL051	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single, 30-V, 3.3-MHz, high slew rate (20-V/µs), 1.5-mV offset voltage, In to V+, JFET-input op amp The TL05x series of JFET-input operational amplifiers offers improved dc and ac characteristics over the TL07x and TL08x families of BiFET operational amplifiers. On-chip Zener trimming of offset voltage yields precision grades as low as 1.5 mV (TL051A) for greater accuracy in dc-coupled application • Direct Upgrades to TL07x and TL08x BiFET Operational Amplifiers\n• Faster Slew Rate (20 V/µs Typ) Without Increased Power Consumption\n• On-Chip Offset-Voltage Trimming for Improved DC Performance and Precision Grades Are Available (1.5 mV, TL051A);	TI 德州仪器	TI
TL051A	文件：1.92105 Mbytes Page：67 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET 文件：1.92105 Mbytes 页数：67 Pages	TI 德州仪器	TI
TL051ACD	文件：1.87753 Mbytes Page：68 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.87753 Mbytes 页数：68 Pages	TI 德州仪器	TI
TL051ACD	文件：1.92105 Mbytes Page：67 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET 文件：1.92105 Mbytes 页数：67 Pages	TI 德州仪器	TI
TL051ACD	文件：1.30578 Mbytes Page：63 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.30578 Mbytes 页数：63 Pages	TI 德州仪器	TI
TL051ACD	文件：1.02263 Mbytes Page：65 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.02263 Mbytes 页数：65 Pages	TI 德州仪器	TI
TL051ACD	文件：1.36959 Mbytes Page：68 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.36959 Mbytes 页数：68 Pages	TI 德州仪器	TI
TL051ACD	文件：1.49127 Mbytes Page：67 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.49127 Mbytes 页数：67 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TL051ACDE4	文件：1.49127 Mbytes Page：67 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.49127 Mbytes 页数：67 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Rail-to-rail：
In to V+
GBW (Typ) (MHz)：
3.3
Slew rate (Typ) (V/us)：
20
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
1.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
2.7
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
18
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
0 to 70
Offset drift (Typ) (uV/C)：
8
Features：
—
Input bias current (Max) (pA)：
200
CMRR (Typ) (dB)：
93
Output current (Typ) (mA)：
42
Architecture：
FET

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