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TK8Q60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 8 A \nPower Dissipation PD 80 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n; Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
TK8Q60W	文件：306.92 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
QSM-8Q60	文件：507.69 Kbytes Page：3 Pages	Qseven??Modules	VIAVIA Technologies, Inc. 威盛电子威盛电子（中国）有限公司	VIA
QSM-8Q60-QP	文件：507.69 Kbytes Page：3 Pages	Qseven??Modules	VIAVIA Technologies, Inc. 威盛电子威盛电子（中国）有限公司	VIA
TL031ID	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI SOIC-8	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司相关企业：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	TI

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
8.0
PD(W)：
80
Ciss(pF)：
570
Qg(nC)：
18.5
=10V：
0.5
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
IPAK
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
6.65 x 6.1 x 2.3
Package Size(mm^2)：
40.57
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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更多TK8Q60W供应商更新时间2025-7-31 9:11:00

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