Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V)

Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 7.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 450 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;

Toshiba

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝

Package：TO-220-3 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 450V 7.5A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：1.01285 Mbytes 页数：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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YFWDIODE

佑风微

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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YFWDIODE

佑风微