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TK7A60W	文件：288.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：288.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK7A60W	文件：243.34 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：243.34 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK7A60W5	文件：242.61 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K7A60W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 75 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.54 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 文件：242.61 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK7A60W5	文件：288.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：288.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK7A60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 7 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK7A60W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 7 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
7.0
PD(W)：
30
Ciss(pF)：
490
Qg(nC)：
15
=10V：
0.6
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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