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TK72E12N1

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H)

文件:253.02 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

TK72E12N1

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:266.09 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TK72E12N1

Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V)

Application Scope:Switching regulators\nPolarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:中国 Drain current ID 179 A \nPower Dissipation PD 255 W \nDrain-Source voltage VDSS 120 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;

Toshiba

东芝

ITK72E12N1

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:321.56 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS(V):

    120

  • VGSS(V):

    +/-20

  • ID(A):

    179

  • PD(W):

    255

  • Ciss(pF):

    8100

  • Qg(nC):

    130

  • =10V:

    0.0044

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    N

  • Package name(Toshiba):

    TO-220

  • Generation:

    U-MOSⅧ-H

  • Type:

    High-speed switching

  • Width×Length×Height(mm):

    10.16 x 15.1 x 4.45

  • Package Size(mm^2):

    153.42

  • Drive voltage type:

    10V Gate Drive

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更多TK72E12N1供应商 更新时间2025-11-30 14:13:00