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TK60E08K3,S1X(S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
TK60E08K3	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK60E08K3,S1X(S

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

TK60E08K3

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

产品属性

产品编号：
TK60E08K3,S1X(S
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
9 毫欧 @ 30A，10V
功率耗散（最大值）：
128W
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220-3
封装/外壳：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

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更多TK60E08K3,S1X(S供应商更新时间2025-6-7 8:24:00

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