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TK50P04M1	文件：200.23 Kbytes Page：7 Pages	High-EfficiencyDC-DCConverterApplicationsSwitchingRegulator Features (1)High-speedswitching (2)Lowgatecharge:QSW=9.4nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.7mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=40V) (5)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10V,ID=0.5mA) Applications •Swi	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK50P04M1	文件：2.61171 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TK50P04M1	文件：333.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK50P04M1	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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详细参数

型号：
TK50P04M1(T6RSS-Q
功能描述：
MOSFET N-ch 40V 50A DP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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