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TK39N60W	文件：432.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：432.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK39N60W	文件：249.55 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K39N60W；Package：TO-247；Switching Voltage Regulators 文件：249.55 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK39N60W5	文件：240.5 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K39N60W5；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 150 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.062 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 文件：240.5 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK39N60W5	文件：432.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：432.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK39N60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 38.8 A \nPower Dissipation PD 270 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK39N60W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 38.8 A \nPower Dissipation PD 270 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
38.8
PD(W)：
270
Ciss(pF)：
4100
Qg(nC)：
110
=10V：
0.065
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-247
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
15.94 x 20.95 x 5.02
Package Size(mm^2)：
333.94
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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