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TK39J60W5	文件：238.72 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=150ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.062Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3.0to4.5V(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TK39J60W5

文件：238.72 Kbytes

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=150ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.062Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3.0to4.5V(VDS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TK39J60W5

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
TK39J60W5,S1VQ
功能描述：
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TK39J60W5,S1VQ供应商更新时间2025-4-30 17:43:00

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