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TK35E08N1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 55 A \nPower Dissipation PD 72 W \nDrain-Source voltage VDSS 80 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK35E08N1	文件：338.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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TK3715A-EEQ-LFG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TEKNOVUS LQFP-128	TEKNOVUS 上传：深圳市胜彬电子有限公司	TEKNOVUS
TK3723B-HG-PBG	文件：0 bytes Page：0 Pages	BROADCOM BGA	BROADCOM 上传：深圳市胜彬电子有限公司	BROADCOM

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
80
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
55
PD(W)：
72
Ciss(pF)：
1700
Qg(nC)：
25
=10V：
0.0122
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220
Generation：
U-MOSⅧ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
10.16 x 15.1 x 4.45
Package Size(mm^2)：
153.42
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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