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TK31J60W5	文件：237.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=135ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.082Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3.0to4.5V(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TK31J60W5

文件：237.66 Kbytes

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=135ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.082Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3.0to4.5V(VDS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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